(通用)化學實驗報告2篇
在生活中，報告的適用范圍越來越廣泛，我們在寫報告的時候要注意語言要準確、簡潔。在寫之前，可以先參考范文，下面是小編精心整理的化學實驗報告，歡迎閱讀與收藏。
化學實驗報告1
（以草酸中h2c2o4含量的測定為例）
實驗題目：草酸中h2c2o4含量的測定
實驗目的：
學習naoh標準溶液的配制、標定及有關儀器的使用；
學習堿式滴定管的使用，練習滴定操作。
實驗原理：
h2c2o4為有機弱酸，其ka1=5.9×10-2，ka2=6.4×10-5。常量組分分析時cka1＞10-8，cka2＞10-8，ka1/ka2＜105，可在水溶液中一次性滴定其兩步離解的h+：
h2c2o4+2naoh===na2c2o4+2h2o
計量點ph值8.4左右，可用酚酞為指示劑。
naoh標準溶液采用間接配制法獲得，以鄰苯二甲酸氫鉀標定：
-cook
-cooh
+naoh===
-cook
-coona
+h2o
此反應計量點ph值9.1左右，同樣可用酚酞為指示劑。
實驗方法：
一、naoh標準溶液的配制與標定
用臺式天平稱取naoh1g于100ml燒杯中，加50ml蒸餾水，攪拌使其溶解。
移入500ml試劑瓶中，再加200ml蒸餾水，搖勻。
準確稱取0.4~0.5g鄰苯二甲酸氫鉀三份，分別置于250ml錐形瓶中，加20~30ml蒸餾水溶解，再加1~2滴0.2%酚酞指示劑，用naoh標準溶液滴定至溶液呈微紅色，半分鐘不褪色即為終點。
二、h2c2o4含量測定
準確稱取0.5g左右草酸試樣，置于小燒杯中，加20ml蒸餾水溶解，然后定量地轉入100ml容量瓶中，用蒸餾水稀釋至刻度，搖勻。
用20ml移液管移取試樣溶液于錐形瓶中，加酚酞指示劑1~2滴，用naoh標準溶液滴定至溶液呈微紅色，半分鐘不褪色即為終點。平行做三次。
實驗數據記錄與處理：
一、naoh標準溶液的標定
實驗編號123備注
mkhc8h4o4/g始讀數
終讀數
結果
vnaoh/ml始讀數
終讀數
結果
cnaoh/mol·l-1
naoh/mol·l-1
結果的相對平均偏差
二、h2c2o4含量測定
實驗編號123備注
cnaoh/mol·l-1
m樣/g
v樣/ml20.0020.0020.00
vnaoh/ml始讀數
終讀數
結果
ωh2c2o4
h2c2o4
結果的相對平均偏差 實驗結果與討論： （1）（2）（3）…… 結論：
例二合成實驗報告格式 實驗題目：溴乙烷的合成
實驗目的：1.學習從醇制備溴乙烷的原理和方法 2.鞏固蒸餾的操作技術和學習分液漏斗的使用。 實驗原理：
主要的副反應：
反應裝置示意圖：
（注：在此畫上合成的裝置圖） 實驗步驟及現象記錄： 實驗步驟現象記錄
1.加料：
將9.0ml水加入100ml圓底燒瓶，在冷卻和不斷振蕩下，慢慢地加入19.0ml濃硫酸。冷至室溫后，再加入10ml95%乙醇，然后在攪拌下加入13.0g研細的溴化鈉，再投入2-3粒沸石。
放熱，燒瓶燙手。
2.裝配裝置，反應：
裝配好蒸餾裝置。為防止產品揮發損失，在接受器中加入5ml40%nahso3溶液，放在冰水浴中冷卻，并使接受管（具小咀）的'末端剛好浸沒在接受器的水溶液中。用小火加熱石棉網上的燒瓶，瓶中物質開始冒泡，控制火焰大小，使油狀物質逐漸蒸餾出去，約30分鐘后慢慢加大火焰，直到無油滴蒸出為止。
加熱開始，瓶中出現白霧狀hbr。稍后，瓶中白霧狀hbr增多。瓶中原來不溶的固體逐漸溶解，因溴的生成，溶液呈橙*。
3.產物粗分：
將接受器中的液體倒入分液漏斗中。靜置分層后，將下層的粗制溴乙烷放入干燥的小錐形瓶中。將錐形瓶浸于冰水浴中冷卻，逐滴往瓶中加入濃硫酸，同時振蕩，直到溴乙烷變得澄清透明，而且瓶底有液層分出（約需4ml濃硫酸）。用干燥的分液漏斗仔細地分去下面的硫酸層，將溴乙烷層從分液漏斗的上口倒入30ml蒸餾瓶中。
接受器中液體為渾濁液。分離后的溴乙烷層為澄清液。
4.溴乙烷的精制
配蒸餾裝置，加2-3粒沸石，用水浴加熱，蒸餾溴乙烷。收集37-40℃的餾分。收集產品的接受器要用冰水浴冷卻。無色液體，樣品+瓶重=30.3g,其中，瓶重20.5g，樣品重9.8g。
5.計算產率。
理論產量：0.126×109=13.7g
化學實驗報告2
實驗名稱：硅片的清洗
實驗目的：1.熟悉清洗設備
2.掌握清洗流程以及清洗前預準備
實驗設備：1.半導體兆聲清洗機（SFQ-1006T）
2.SC-1；SC-2
實驗背景及原理：
清洗的目的在于清除表面污染雜質，包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離子狀態，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴重影響少數載流子壽命和表面電導；堿金屬如鈉等，引起嚴重漏電；顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌、微生物、有機膠體纖維等，會導致各種缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化學清洗兩種。
我們這里所用的的是化學清洗。清洗對于微米及深亞微米超大規模集成電路的良率有著極大的影響。SC-1及SC-2對于清除顆粒及金屬顆粒有著顯著的作用。
實驗步驟：
1. 清洗前準備工作：
儀器準備：
①燒杯的'清洗、干燥
②清洗機的預準備：開總閘門、開空氣壓縮機；開旋轉總電源（清洗設備照明自動開啟）； 將急停按鈕旋轉拉出，按下旁邊電源鍵；緩慢開啟超純水開關，角度小于45o；根據需要給1#、2#槽加熱，正式試驗前提前一小時加熱，加熱上限為200o。本次實驗中選用了80℃為反應溫度。
③SC-1及SC-2的配置：
我們配制體積比例是1:2:5，所以選取溶液體積為160ml，對SC-1 NH4OH：H2O2：H2O=20:40:100ml，對SC-2 HCl：H2O2：H2O=20:40:100ml。
2. 清洗實際步驟：
① 1#號槽中放入裝入1號液的燒杯，待溫度與槽中一樣后，放入硅片，加熱10min,然后超純水清洗。
② 2#號槽中放入裝入2號液的燒杯，待溫度與槽中一樣后，放入硅片，加熱10min,然后超純水清洗。
③ 兆聲清洗10分鐘，去除顆粒
④ 利用相似相溶原理，使用乙醇去除有機物，然后超純水清洗并吹干。
實驗結果：
利用顯微鏡觀察清洗前后硅片圖像表面
清洗前硅片照片
清洗后的硅片照片
實驗總結：
清洗過后明顯地發現硅片表面不像原來那樣油膩，小顆粒明顯減少。說明我們此次使用實驗方法是正確的，實驗結果較為成功。
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